型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Renesas Electronics ### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。55475+￥29.437250+￥28.1792200+￥27.4747500+￥27.29861000+￥27.12252500+￥26.92125000+￥26.79547500+￥26.6696 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 55A 210000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube45135+￥19.269950+￥18.4464200+￥17.9852500+￥17.87001000+￥17.75472500+￥17.62295000+￥17.54067500+￥17.4582 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: TO-220AB 整包72125+￥13.396550+￥12.8240200+￥12.5034500+￥12.42331000+￥12.34312500+￥12.25155000+￥12.19437500+￥12.1370 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube72925+￥16.637450+￥15.9264200+￥15.5282500+￥15.42871000+￥15.32922500+￥15.21545000+￥15.14437500+￥15.0732 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 140000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube32245+￥16.192850+￥15.5008200+￥15.1133500+￥15.01641000+￥14.91952500+￥14.80885000+￥14.73967500+￥14.6704 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube266710+￥8.7360100+￥8.2992500+￥8.00801000+￥7.99342000+￥7.93525000+￥7.86247500+￥7.804210000+￥7.7750 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 180000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube69461+￥37.942010+￥35.7650100+￥34.1478250+￥33.8990500+￥33.65021000+￥33.37032500+￥33.12155000+￥32.9660 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Renesas Electronics ### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。14571+￥43.456410+￥40.9630100+￥39.1108250+￥38.8258500+￥38.54081000+￥38.22032500+￥37.93535000+￥37.7572
